低能量半导体激光缓解正畸不同阶段牙齿疼痛的临床研究

• 作者: 崔亮 赵继志
• 来源期刊: 中国实用口腔科杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 低能量半导体激光 正畸 疼痛
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 658-661
• 页数: 4页
• 分类号: R78
• 字数: 2856字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19538/j.kq.2019.11.005

摘要

目的 研究低能量半导体激光对佩戴固定矫治器正畸患者在初始排齐和牙弓完全整平后滑动法关闭拔牙间隙2个阶段加力后牙齿疼痛的缓解作用.方法 选取2017年7月至2018年2月于北京协和医院口腔科就诊处于正畸初始阶段的患者19例,处于滑动法关闭拔牙间隙阶段的患者17例.采用单盲、自身牙弓左右侧对照的研究方法,正畸加力后使用低能量半导体激光(810 nm、0.5W、4W/cm2)分别照射研究侧牙弓颊侧、腭侧牙周膜区域(连续波模式、40 s/颗),对照侧相应区域采用指示光进行照射.加力后1周内,患者每日填写疼痛数字评价量表,采用Mann-Whitney检验比较研究侧和对照侧的疼痛差异.结果 在正畸初始阶段应用低能量半导体激光照射,在加力后前3d均可显著减轻咬合痛,在加力后第1天可显著减轻自发痛(P＜0.05);而在滑动法关闭拔牙间隙阶段,低能量半导体激光缓解这2种疼痛的作用在研究侧和对照侧间无明显差异(P＞0.05).结论 低能量半导体激光可明显缓解临床患者在正畸初始阶段的疼痛.