热阴极逸出功非均匀性对本征发射度的影响

• 作者: 刘平 向军 彭宇飞 李天涛 李建北 杨洁 石金水 秦臻 赵伟 陈弹蛋 陈欣 黄刚 龙继东
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 阴极电子学 热阴极 FDTD PIC 本征发射度 逸出功分布
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 643-648
• 页数: 6页
• 分类号: TL503.3
• 字数: 4132字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.03.018

摘要

热阴极广泛应用真空电子器件、加速器、自由电子激光等各类束流装置,热阴极表面状态非均匀性对束流本征发射度有着显著的影响.本文推导了非均匀发射阴极的均方根本征发射度理论形式,并分析了逸出功非均匀性及其统计效应对本征发射度的影响.针对逸出功径向和一维余弦分布模型,计算了均方根发射度与逸出功非均匀性关系的理论数值解;基于有限差分法粒子仿真技术,开发了专用于阴极仿真的程序YY-PICMC,并验证了理论形式的正确性;针对逸出功二维余弦分布模型进行了理论和仿真分析,结果表明逸出功分布空间频数对均方根发射度涨落有显著影响,当空间频数趋于无限大时,发射度增长系数趋于1,即逸出功均匀阴极的情形;最后,分析了最接近真实阴极表面状态的二维逸出功随机分布模型,仿真结果表明随着空间频数增加,发射度增长系数统计方差逐渐减小,符合余弦模型结果的预期.本文建立的理论形式和仿真方法可以用于评估各类阴极表面逸出功空间非均匀性特征对束流本征发射度的影响程度.