第四代半导体锑化物低维结构外延晶圆材料与激光器技术

• 作者: 倪海桥 尚金铭 张一 张宇 徐应强 杨成奥 牛智川 蒋俊凯 袁野 谢圣文 陈益航
• 来源期刊: 科技纵览
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 本期关注
• 页码范围: 65-67
• 页数: 3页
• 字数: 2691字
• 语种: 中文

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张宇	中国科学院半导体研究所	212	2104	24.0	35.0
2	袁野	中国科学院半导体研究所	13	31	4.0	5.0
3	牛智川	中国科学院半导体研究所	45	124	5.0	8.0
4	徐应强	中国科学院半导体研究所	17	50	4.0	6.0
5	倪海桥	中国科学院半导体研究所	14	8	1.0	1.0
6	杨成奥	中国科学院半导体研究所	2	0	0.0	0.0
7	谢圣文	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0
8	尚金铭	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0
9	张一	中国科学院半导体研究所	9	69	4.0	8.0
10	陈益航	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0
11	蒋俊凯	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0