高压大功率器件用高温栅偏测试装置研制

• 作者: 吴宇轩 孟鹤立 王延浩 赵志斌 邓二平 黄永章
• 来源期刊: 中国电力
• 学科: 工学
• 关键词: 高压大功率器件 IGBT器件 碳化硅MOSFET器件 高温栅偏测试 阈值电压
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件可靠性专栏
• 页码范围: 48-53,72
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.07
• 字数: 3547字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11930/j.issn.1004-9649.201907093

摘要

为准确评估硅IGBT和碳化硅MOSFET等高压大功率器件不同电应力及热应力条件下的栅极可靠性,研制了实时测量皮安级栅极漏电流的高温栅偏(high temperature gate bias,HTGB)测试装置.此外,该测试装置具备阈值电压在线监测功能,可以更好地监测被测器件的状态以进行可靠性评估和失效分析.为初步验证测试装置的各项功能和可靠性,运用该测试装置对商用IGBT器件在相同温度应力不同电应力条件下进行分组测试.初步测试结果表明老化初期漏电流逐渐降低,最终漏电流大小与电压应力有良好的正相关性,栅偏电压越大,漏电流越大.该测试装置实现了碳化硅MOSFET器件和硅IGBT器件对高温栅偏的测试需求且适用于各种类型的封装.