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摘要:
带电粒子束成像检测技术是一种可以提供纳米级测量精度的技术,广泛应用于半导体检测中.在进行硅片检测时,要求待测硅片在扫描检测过程中一直处于电子束的焦深范围(DoF)内.本文提出一种毫米级控制范围、纳米级控制精度、高度测量时间在亚毫秒量级的粗精结合的闭环硅片高度控制技术.它的核心子系统是一套光学硅片高度测量系统,在进行粗控制时,数字相机的成像面作为一个光栅图像接收面,硅片的高度信息通过测量光栅线条在成像面上的位移获得.在接近目标高度时,数字相机的成像面作为一个虚拟的数字光栅使用.它与光学光栅图像存在一定周期差,两者构成类似机械游标卡尺的结构,本文称为光学游标卡尺,实验表明该技术可以在成像面上细分像素尺寸10×以上.当用其测量硅片高度时,粗测范围达毫米量级,粗测时间小于0.38 ms,精测分辨率小于80 nm,精测时间小于0.09 ms.利用该硅片高度测量系统进行硅片高度的初步闭环反馈控制,控制精度达到15 nm,在电子束硅片图形检测系统中具有广阔的应用前景.
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文献信息
篇名 电子束硅片图形检测系统中的纳米级对焦控制技术
来源期刊 中国光学 学科 工学
关键词 对焦控制 高度测量 高度控制 带电粒子束检测 电子束检测 光学游标卡尺 焦深
年,卷(期) 2019,(2) 所属期刊栏目 原创文章
研究方向 页码范围 242-255
页数 14页 分类号 TP394.1|TH691.9
字数 8198字 语种 中文
DOI 10.3788/CO.20191202.0242
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郭杰 中国科学院微电子研究所 11 142 5.0 11.0
5 李世光 中国科学院微电子研究所 11 5 1.0 2.0
11 宗明成 中国科学院微电子研究所 4 0 0.0 0.0
18 赵焱 1 0 0.0 0.0
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中国光学
双月刊
2095-1531
22-1400/O4
大16开
吉林省长春市东南湖大路3888号
12-140
1985
chi
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