RF CMOS工艺片上MOM电容的宽频带建模与验证

• 作者: 刘军 吴园园 周文勇 李嵬
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: RF CMOS技术 金属-氧化物-金属(MOM)电容 宽频带建模 互连线 趋肤效应 紧凑型模型
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 332-338
• 页数: 7页
• 分类号: TM53
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.04.013

摘要

提出了一种新的基于RF CMOS技术的金属-氧化物-金属(MOM)电容宽频带建模方法.为了提高模型精度、扩展有效频带,模型在构造时加入了测试焊盘和输入/输出互连线的等效电路.测试结构是基于自身物理结构进行架构的,充分考虑了其在高频时引入的各种寄生效应.互连线模型考虑了高频时的趋肤效应.通过解析提取的方法,在低频时提取测试结构引入的容性和阻性寄生参数.采用物理公式计算互连线的等效电感和电阻以及高频下互连线产生的趋肤效应参数初值.对于模型拓扑结构和参数提取方法,采用40 nm RF CMOS工艺上设计所得连带测试结构MOM电容数据进行验证.在0.25～110 GHz的频率范围内,可得测试和仿真的S参数精确吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘军	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	30	47	4.0	6.0
2	吴园园	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	周文勇	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	李嵬	中国电子科技集团公司信息科学研究院	2	0	0.0	0.0