HgCdTe雪崩光电二极管的研究进展

• 作者: 宋淑芳 王小菊 田震
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe 雪崩二极管 二维/三维成像
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 综述与评论
• 页码范围: 1159-1164
• 页数: 6页
• 分类号: TN214
• 字数: 2907字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2019.10.002

摘要

碲镉汞红外雪崩光电二极管(APD)阵列作为最近十多年来发展起来的新型探测器,以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点,成为未来微弱信号探测、二维/三维成像、主/被动探测应用的重要器件.本文重点阐述了雪崩光电二极管的基本原理、以及HgCdTe雪崩光电二极管材料和器件的研究,结合应用方向对其研究进展进行了综述性介绍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋淑芳		12	56	3.0	7.0
2	田震		7	4	1.0	2.0
3	王小菊		2	0	0.0	0.0