一种EFlash高压自校准电路

• 作者: 孙铭阳 郑晓 郭桂良
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 嵌入式闪存 高压 ATE 自校准 高效
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TN47
• 语种: 中文

摘要

嵌入式闪存(Embedded Flash,EFlash)内部高压的准确性对其读取、编程和擦除的有效性至关重要.为了EFlash IP的高压误差尽可能小,电路预留了可调接口用于调整内部高压的数值.通过提出自动检测的算法和设计集自动化检测和校准一体的自测电路,达到快速校准高压的目的.实验以一个2M存储容量的EFlash为对象,实现校准时间从3s到30 ms的减少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭桂良	中国科学院微电子研究所	37	106	6.0	7.0
2	孙铭阳		1	0	0.0	0.0
3	郑晓		1	0	0.0	0.0