激光辐射对供体-受体型聚合物忆阻器性能的影响

• 作者: 刘汝新 董瑞新 袁帅 闫循领
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 材料 供体-受体聚合物 忆阻器 激光调控
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与薄膜
• 页码范围: 343-348
• 页数: 6页
• 分类号: TN604
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201946.0503001

摘要

利用异靛蓝、丙烯二氧噻吩、噻吩单元组成的供体-受体类型半导体聚合物IPDT构建了有机电子器件Al/IPDT/ITO,该器件具有明显的忆阻特性,开/关电压为8 V/-7.5 V,高低电阻比达到了102以上.研究了不同波长激光的照射对器件忆阻性能的影响,结果表明:波长为632 nm、功率为3 mW的激光对忆阻性能的影响显著;照射60 s后,器件电流的走向发生了反转,开/关电压降低到-2.2 V/1.3 V,高低电阻比提高到104,电流降低了一个量级,且电流-电压曲线的涨落减小,有效降低了器件的功耗;稳定性循环测试次数由未经激光照射时的2000提高到3500,提高了数据读取的准确性和稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董瑞新		27	177	7.0	13.0
2	闫循领		25	209	8.0	14.0
3	袁帅		2	0	0.0	0.0
4	刘汝新		3	0	0.0	0.0