三菱电机开发出具有独特电场场限结构的沟槽型SiC-MOSFET

• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 三菱电机 沟槽型 结构 电场 开发 功率半导体器件 电力电子设备 半导体模块
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 页码范围: 38-39
• 页数: 2页
• 分类号: TM925.12

摘要

三菱电机株式会社开发出具有独特电场场限结构的沟槽型^[2]SiC[3]-MOSFET^[4],其耐压可达1500V以上,同时还具有全球领先水平⑴的器件通态电阻率——1.84m·Ω·cm^2。将该功率半导体器件搭载于功率半导体模块中,有助于实现电力电子设备的小型化和节能化。