CdSe量子点敏化对GaAs发光特性的影响

• 作者: 刘展 唐吉龙 房丹 方铉 林逢源 王晓华 王登魁 高美 魏志鹏
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 光谱学 CdSe量子点敏化 GaAs 光致发光 Ⅱ型能带结构
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 光谱学
• 页码范围: 290-296
• 页数: 7页
• 分类号: O433.4|O431.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201946.0811002

摘要

为了探究量子点敏化对GaAs衬底发光性能的影响,采用化学沉积法制备了CdSe量子点,将量子点沉积在GaAs衬底上进行敏化.采用X射线衍射测试确认物相,利用扫描电子显微镜对量子点的形貌进行表征,并通过荧光光谱测试对CdSe量子点敏化后的GaAs衬底样品与未敏化的样品进行对比.结果 表明:所制备的CdSe量子点大小均匀,尺寸约为20 nm,且均匀地附着在GaAs衬底上,CdSe量子点/GaAs形成了Ⅱ型能带结构.量子点敏化使GaAs衬底表面的载流子浓度升高.通过荧光光谱测试对各发光峰的来源进行了分析.测试数据显示,与敏化前相比,敏化后的GaAs衬底带边发光增强了2.25倍,缺陷发光增强了3倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐吉龙		28	104	4.0	10.0
2	方铉		37	60	4.0	6.0
3	魏志鹏		44	104	5.0	8.0
4	王晓华		54	156	7.0	9.0
5	王登魁		18	0	0.0	0.0
6	房丹		25	18	3.0	3.0
7	林逢源		3	0	0.0	0.0
8	刘展		1	0	0.0	0.0
9	高美		2	0	0.0	0.0