面向中高频应用的3300V IGBT/FRD设计与制造

• 作者: 丁杰 罗海辉 谭灿健 黄建伟
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 中高频 绝缘栅双极晶体管 快恢复二极管
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 器件与测试
• 页码范围: 129-131
• 页数: 3页
• 分类号: TN111
• 语种: 中文

摘要

为满足中高频大功率市场对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和高速恢复二极管(FRD)芯片的需求,通过对IGBT的元胞结构采用背面集电极发射效率控制和局部少子寿命控制技术,在导电压降少量增加的前提下,使关断损耗下降了30％,从而提高关断速度;对IGBT的终端结构采用新型钝化技术,大幅降低了漏电流,有利于提高开关速度;对FRD采用全局和局部寿命控制技术,降低了高温反向漏电流,同时满足软反向恢复的要求,提高器件的可靠性.在已有量产8英寸IGBT DMOS+技术平台上,设计和制造了满足中高频应用的3 300VIGBT和FRD芯片组.