基于GaN-HEMT器件的双有源桥DC-DC变换器的软开关分析

• 作者: 刘佳斌 梅红伟 肖曦
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双有源桥 GaN-HEMT 软开关 死区时间
• 年，卷（期）: 2019,（z2）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 534-542
• 页数: 9页
• 分类号: TM46
• 字数: 3490字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L80714

摘要

对运用双有源桥DC-DC变换器(DAB)的软开关电路进行了建模,并依据此模型,对运用不同开关管的DAB软开关范围进行对比.首先,介绍传统移相控制下的DAB的工作原理,推导辅助电感的电流值.然后,对DAB的左右全桥的开关管进行了软开通电路建模.通过对MOSFET和GaN-HEMT两种开关管的输出电容进行数值拟合,对比二者在不同工作状况下的开通过程,发现运用GaN-HEMT能够扩大软开关范围.之后,根据GaN器件结构的特点,对不同死区时间下的电流尖峰和电路损耗进行对比.最后,基于Pspice仿真软件得到了不同条件下软开关的电感电流和寄生电容电压波形,分析了变换器的功率特性,并搭建GaN-HEMT实验平台进行了实验验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖曦	清华大学电机系电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室	47	1168	17.0	34.0
2	梅红伟	清华大学深圳研究生院	66	692	17.0	23.0
3	刘佳斌	清华大学电机系电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室	2	0	0.0	0.0