高分子直接插层构建纳米层状异质结构及高效储能应用

• 作者: 张帆
• 来源期刊: 科学通报
• 年，卷（期）: 2019,（17）
• 所属期刊栏目: 亮点述评
• 页码范围: 1759-1760
• 页数: 2页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/N972019-00353

摘要

二维层状材料,如过渡金属硫化物(TMDs)、过渡金属碳化物或氮化物(MXenes)、六方氮化硼(h-BN)、石墨氮化碳(g-C3N4)、层状金属氧化物等,因具有优异的电学性质和易于加工等特点,在能量转化和存储方面有着广泛的应用前景.然而,体相二维层状材料一般多以层间范德华力作用形成堆叠结构,极大妨碍了材料活性位点的充分暴露和物质/电子在层间的快速传输/传递,严重降低了其性能/功能的释放.为了解决上述问题,需对二维层状材料进行插层剥离,并引入其他活性组分,如导电碳材料等,进行复合处理.通常情况下,插层剂以无机离子和有机小分子为主,插层反应条件相对苛刻且操作过程复杂[1].此外,这类插层剂在洗涤或高温处理时,易于溶解或蒸发脱除,导致插层失效,不利于后续的功能化加工.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张帆		62	433	10.0	19.0