Ar等离子体处理对GaAs纳米线发光特性的影响

• 作者: 唐吉龙 房丹 方铉 李浩林 王新伟 王晓华 王登魁 高美 魏志鹏
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 光谱学 GaAs纳米线 Ar等离子体处理 光致发光 缺陷 偏压功率
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 光谱学
• 页码范围: 282-287
• 页数: 6页
• 分类号: O472+.3|O433.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201946.0211005

摘要

采用Ar等离子体处理GaAs纳米线, 通过光致发光测试研究了等离子体偏压功率对GaAs纳米线发光性能的影响.在不同测试温度和不同激发功率密度下, 研究了发光光谱各个发光峰的来源和机制.研究结果表明:随着功率增加, GaAs自由激子发光逐渐消失, 束缚激子发光强度先减小后增大;当功率增加到200 W时, 出现施主-受主对 (DAP) 发光.通过对比不同样品在283℃下的发光光谱, 得到了等离子体处理过程中GaAs纳米线的结构变化:当处理功率较小时, Ar等离子体在消除表面态的同时将空位缺陷引入GaAs中;当处理功率较大时, GaAs的晶体结构遭到破坏, 形成施主类型的缺陷, 出现DAP发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐吉龙		28	104	4.0	10.0
2	方铉		37	60	4.0	6.0
3	魏志鹏		44	104	5.0	8.0
4	王晓华		54	156	7.0	9.0
5	王登魁		18	0	0.0	0.0
6	房丹		25	18	3.0	3.0
7	王新伟		21	67	3.0	8.0
8	高美		2	0	0.0	0.0
9	李浩林		2	0	0.0	0.0