关于封帽对中检测方法的研究

• 作者: 杨少鹏
• 来源期刊: 魅力中国
• 关键词: 二次元 不良缺陷 耦合功率
• 年，卷（期）: 2019,（29）
• 所属期刊栏目: 科技创新
• 页码范围: 326
• 页数: 1页
• 字数: 1422字
• 语种: 中文

摘要

芯片封装工艺中封装缺陷不可避免,特别是在管帽封装的时候,容易出现封装偏的情况,现在利用二次元检验技术,分析了在管帽封装中芯片对中情况及不良情况下对芯片出光耦合功率的影响.该方法具有操作简单,可靠性高的特点,可以防止管帽封装不良品流出及减少后道不良品出现的作用.能够产生良好的经济效益.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨少鹏		1	0	0.0	0.0