功率MOSFET温度场数值模拟研究

• 作者: 封雷 朱端银
• 来源期刊: 山东化工
• 学科: 工学
• 关键词: 温度场 MOSFET 功率损耗 数值模拟
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 化工设计
• 页码范围: 95-96
• 页数: 2页
• 分类号: TQ018
• 字数: 1102字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-021X.2019.11.040

摘要

本文以电力电子技术MOSFET工作原理为基础,运用有限元软件Fluent进行温度场数值模拟研究,探讨MOSFET作为电机驱动器逆变功率器件时产生的能量损耗的热传导过程,通过改变冷却水道的尺寸得出水道截面的高度和宽度对MOSFET温升的影响.研究表明:MOSFET管温度对水道截面的高度比较敏感,水道截面的宽度对MOSFET管的温度影响不大,水道截面积越小,压力损失越大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱端银		10	31	4.0	5.0
2	封雷		1	0	0.0	0.0