铪基高κ材料研究及进展

• 作者: 卢振成 周涛涛 王凌振 王海 程文海 蒋梁疏
• 来源期刊: 化工生产与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高κ材料 Hf基高κ材料 HfO2 进展
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 产业与技术发展报告
• 页码范围: 18-22
• 页数: 5页
• 分类号: TQ134.1+3
• 字数: 4210字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-6829.2020.01.006

摘要

叙述了高κ介质材料替代传统SiO2作为栅介质是超大集成电路发展的必然趋势,总结了Hf基高κ材料基本性能、研究现状及制备方法,推荐了满足MOS制程要求的ALD薄膜沉积技术.分析了ALD技术的优点,认为ALD技术在薄膜沉积方面有传统成膜技术所无可比拟优势.Hf基高κ材料用途主要包括2类,用于储存器的电容介质和用作晶体管MOS的栅介质,重点介绍Hf基高κ栅介质材料的应用.认为进一步探索新的Hf基高κ(材料,提高其与衬底材料相容性及改善界面性能,通过掺杂或发展制备工艺获得优异综合性Hf基高κ材料是重要途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海		2	0	0.0	0.0
2	程文海		2	0	0.0	0.0
3	周涛涛		2	0	0.0	0.0
4	卢振成		2	0	0.0	0.0
5	王凌振		2	0	0.0	0.0
6	蒋梁疏		2	0	0.0	0.0