Pd插层NbSe2化合物的制备、晶体结构和电学性质研究

• 作者: 卜克军 王东 王思顺 赵伟 黄冲 黄富强
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PdxNbSe2 过渡金属硫族化合物 晶体结构 超导
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 505-510,后插1-后插2
• 页数: 7页
• 分类号: O782
• 字数: 663字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20190125

摘要

通过固相反应法合成一系列插层化合物PdxNbSe2(x=0～0.17).它们与2H-NbSe2相同,属于六方晶格,空间群为P63/mmc.Pd占据NbSe2层间的八面体空位.随着Pd含量的增加,晶格常数c线性增大,而a几乎不变.X射线单晶衍射结果表明,Pd0.17NbSe2的晶格常数为a=b=0.34611(2)nm,c=1.27004(11)nm.每个Pd原子与六个Se原子键合形成[PdSe6]八面体来连接相邻的Nb-Se层,使晶体结构变得更加稳定,从而提高化合物的热稳定性.电学测试表明,随着Pd含量的增加,PdxNbSe2的剩余电阻比减小.此外,超导转变温度也随着Pd含量的增加而下降,说明Pd的引入不利于NbSe2的超导态.