高性能9 xx nm大功率半导体激光器

• 作者: 井红旗 仲莉 刘素平 袁庆贺 马骁宇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 激光二极管 内部损耗 自由载流子吸收
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 194-198
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1866字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20204102.0194

摘要

为了改善9xx nm高功率半导体激光器的性能,对n包层和p包层的掺杂分布进行了调整,以减小激光器的内部损耗.同时为了减小有源区载流子的泄漏,在有源区和波导层之间引入了高能量带隙GaAsP.设计并制作了内部损耗为1.25 cm-1的高功率激光器.器件可靠性工作的最大输出功率为26.5 W.当输出功率为10.5 W时,最大电光功率转换效率为72.4％,斜率效率为1.16 W/A.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马骁宇	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	93	616	12.0	21.0
5	刘素平	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	37	253	7.0	15.0
6	井红旗	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	13	42	3.0	6.0
7	袁庆贺	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	5	2	1.0	1.0
11	仲莉	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	10	23	2.0	4.0