铜锌锡硫带边电子结构及缺陷态的光学表征

• 作者: 卢小双 孙琳 李国帅 褚君浩 越方禹 陈晔 马传贺 马骕驭
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 禁带宽度 半导体缺陷 光谱表征 铜锌锡硫
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 页码范围: 92-98
• 页数: 7页
• 分类号: O474
• 字数: 4108字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2020.01.013

摘要

利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,揭示了SnZn相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素,其中高浓度的中性缺陷簇[2CuZn+SnZn]能导致带隙明显窄化,而离子性缺陷簇[CuZn+SnZn]是主要的深施主缺陷态,同时存在的大量带尾态引起带边相关的光致发光峰明显红移.贫铜富锌条件下,适当减少锡含量,可有效抑制与SnZn相关的缺陷簇,并避免带隙的窄化.