高功率高可靠性9XX nm激光二极管

• 作者: 井红旗 仲莉 刘素平 袁庆贺 马骁宇
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光光学 激光二极管 载流子泄漏 特征温度 波长漂移 寿命
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 激光器件与激光物理
• 页码范围: 53-57
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL202047.0401006

摘要

为了提高半导体激光二极管的输出功率和可靠性,通过在有源区两侧势垒层和波导层之间引入高禁带宽度的GaAsP,抑制有源区载流子的泄漏,极大地改善了器件的性能.研究结果表明:在10～40℃温度范围内器件特征温度从原来的150 K提高至197.37 K(-75.76℃),峰值波长随温度的漂移系数为0.207 nm/℃;条宽200μm、腔长2000 μm的9XX nm激光二极管可靠性工作的最大输出功率高达14.4 W;器件在注入电流为7A时取得71.8％的最大电光转换效率,斜率效率为1.21 W/A.器件在恒定电流下的加速老化测试显示激光二极管可靠性工作寿命达2000 h以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马骁宇	中国科学院半导体研究所	93	616	12.0	21.0
2	刘素平	中国科学院半导体研究所	37	253	7.0	15.0
3	井红旗	中国科学院半导体研究所	13	42	3.0	6.0
4	袁庆贺	中国科学院半导体研究所	5	2	1.0	1.0
5	仲莉	中国科学院半导体研究所	10	23	2.0	4.0