改进的偏向写调度的混合内存缓冲区调度策略

• 作者: 刘兵 崔莹 张锐 段峰 汪令辉
• 来源期刊: 湖南工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非易失存储器 相变存储 混合内存 缓冲区调度
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 信息技术
• 页码范围: 48-53
• 页数: 6页
• 分类号: TP333
• 字数: 4434字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-9833.2020.04.008

摘要

提出一种新的相变存储器(PCM)和DRAM混合内存偏向写调度缓冲区页面调度策略(FWLRU).该策略根据PCM和DRAM在读上区别不大,所以只进行"写"热页调度进入DRAM,而不专门进行"读"热页的调度,同时在PCM和DRAM的页面置换时,不淘汰页面,采取互换的原则,以增加页面的命中率和减少PCM的写.实验结果表明,该策略能有效提高页面的命中率和减少PCM的写.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪令辉		10	60	5.0	7.0
2	段峰	铜陵职业技术学院信息工程系	12	4	1.0	2.0
3	刘兵	中国科技大学计算机科学与技术学院	3	7	1.0	2.0
5	崔莹	铜陵职业技术学院信息工程系	5	8	1.0	2.0
8	张锐	铜陵职业技术学院信息工程系	2	2	1.0	1.0