基于全电子方法和TB-mBJ势的硫化镉多型体能带结构计算

• 作者: 张元珏 高尚鹏
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 硫化镉 密度泛函理论 TB-mBJ 高压 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 208-215
• 页数: 8页
• 分类号: O471.5
• 字数: 3618字
• 语种: 中文

摘要

常见的硫化镉多型体为纤锌矿结构硫化镉(w-CdS)和闪锌矿结构硫化镉(zb-CdS).在高压下w-CdS或zb-CdS都会向岩盐矿结构(rs-CdS)转变.在有外加压强条件下的CdS电子能带结构在实验上一直备受关注.全势线性缀加平面波方法计算所得电子能带结构表明:w-CdS与zb-CdS具有直接带隙,rs-CdS是间接带隙材料.为了更准确的预测禁带宽度,我们探讨了Hubbard U修正和TB-mBJ势的作用,采用TB-mBJ势的能带结构计算得到的w-CdS和zb-CdS的禁带宽度分别为2.74 eV和2.66 eV,和实验值比较接近.我们采用TB-mBJ势对不同外压下的rs-CdS进行了能带结构计算,指出rs-CdS在高压下仍然保持价带顶在L点,导带底在X点的间接带隙特征.分析了禁带宽度随压强增大而减小的趋势,采用TB-mBJ势的结果和rs-CdS高压下的光学实验结果符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张元珏	复旦大学材料科学系	1	0	0.0	0.0
2	高尚鹏	复旦大学材料科学系	4	6	1.0	2.0