面向非易失内存的数据一致性研究综述

• 作者: 冯丹 张晓祎 程良锋 肖仁智 胡燏翀
• 来源期刊: 计算机研究与发展
• 学科: 工学
• 关键词: 新型非易失内存 非易失内存 相变存储器 系统故障 一致性
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 85-101
• 页数: 17页
• 分类号: TP303
• 字数: 19537字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7544∕issn1000-1239.2020.20190062

摘要

随着DRAM 技术面临密度扩展瓶颈以及高泄漏功耗问题,新型非易失内存(non-volatile memory,NVM)因其非易失、高密度、字节寻址和低静态功耗等特性,已经得到学术界和工业界的广泛关注.新型非易失内存如相变内存(phase change memory,PCM)很可能替代DRAM或与DRAM混合作为系统主内存.然而,由于NVM的非易失特性,存储在 NVM的数据在面临系统故障时可能由于部分更新或内存控制器写重排序而产生不一致性的问题.为了保证 NVM中数据的一致性,确保对 NVM 写操作的顺序化和持久化是基本要求.NVM有着内在缺陷如有限的写耐久性以及较高的写延迟,在保证NVM数据一致性的前提下,减少NVM写次数有助于延长 NVM的寿命并提高 NVM系统的性能.重点讨论了基于NVM构建的持久索引、文件系统以及持久性事务等数据一致性研究,以便为实现低开销的数据一致性提供更好的解决方案或思路.最后给出了基于NVM的数据一致性研究展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯丹	华中科技大学武汉光电国家研究中心	169	1188	18.0	26.0
5	胡燏翀	华中科技大学计算机科学与技术学院	2	1	1.0	1.0
9	肖仁智	华中科技大学武汉光电国家研究中心	1	1	1.0	1.0
10	张晓祎	华中科技大学武汉光电国家研究中心	1	1	1.0	1.0
11	程良锋	华中科技大学计算机科学与技术学院	1	1	1.0	1.0