级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管暗电流成分分析

• 作者: 唐艳 崔大健 张承 柴松刚 王立 莫才平 迟殿鑫 高新江 黄晓峰
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管 暗电流 表面漏电流 缺陷辅助隧穿电流 缺陷浓度
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 20-24
• 页数: 5页
• 分类号: TN312
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2020.01.004

摘要

实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管,对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析.结合暗电流函数模型,利用Matlab软件对暗电流的各成分进行了数值计算,并仿真研究了芯片结构的缺陷浓度Nt和表面复合速率S对暗电流的影响.结果 表明,二极管暗电流主要来自于体暗电流,而非表面漏电流.在工作点偏压90V处,受缺陷影响的缺陷辅助隧穿电流Itat在暗电流中占据了主导,并推算出了芯片结构的缺陷浓度Nt约为1019 m-3、吸收区中的缺陷浓度NInGaAs约为7×1015 m-3.由于芯片结构的缺陷主要来源于InAlAs/InAlGaAs倍增区和InGaAs吸收区,而吸收区缺陷占比很少,因此认为缺陷主要来自于异质结InAlAs/InAlGaAs倍增区.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫才平		4	29	1.0	4.0
2	高新江		10	94	6.0	9.0
3	张承		2	3	1.0	1.0
4	黄晓峰		3	3	1.0	1.0
5	迟殿鑫		2	3	1.0	1.0
6	唐艳		2	0	0.0	0.0
7	王立		1	0	0.0	0.0
8	柴松刚		1	0	0.0	0.0
9	崔大健		3	1	1.0	1.0