二氧化硅晶面对甲基铝氧烷吸附行为分析

• 作者: 刘文霞 王金道 许有伟
• 来源期刊: 合成材料老化与应用
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化硅晶体 甲基铝氧烷 态密度 羟基类型
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 试验与研究
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TQ115
• 字数: 1415字
• 语种: 中文

摘要

采用Material Studios对二氧化硅形成的三种晶面进行计算,并模拟甲基铝氧烷(MAO)在不同晶面产生的吸附行为.结果 表明,当形成不同的晶面时,二氧化硅晶体的带宽变宽,表明频带中电子的有效质量越小,非局域性越大,并且频带的原子轨道扩展越强.MAO在SiO2(100)面吸附形成的带隙为0.016eV,在Si(110)面吸附形成的带隙为0.086eV,而在SiO2(111)面形成的带隙为0.180eV,表明MAO在SiO2(111)面产生的吸附最强.MAO在SiO2(111)形成的吸附行为与自由羟基形成映衬,而自由羟基的减少是由桥连羟基随机缩合反应导致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘文霞		21	42	4.0	5.0
2	王金道		3	1	1.0	1.0
3	许有伟		1	0	0.0	0.0