GIS内置特高频传感器性能参数的数值仿真与优化设计技术

• 作者: 何文林 刘家齐 张冠军 朱明晓 詹江杨 邵先军
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: GIS 局部放电 特高频 内置传感器 等效高度 回波损耗
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 电气装备及其智能运维
• 页码范围: 282-291
• 页数: 10页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.20181207004

摘要

为更有效地监测气体绝缘组合电器(gas insulation switchgear,GIS)特高频(ultra-high frequency,UHF)局部放电,针对GIS内置圆盘型UHF传感器开展了优化设计技术研究.首先分别建立了内置UHF传感器GHz横电磁波小室(GHz transverse electromagnetic,GTEM)等效高度和回波损耗参数(S11)的测试仿真模型,考察了传感器安装手孔、结构参数与传感器性能参数的影响关系,并开展了传感器性能的仿真与实测对比研究.结果 表明:随着手孔直径的增大,谐振频率逐渐降低;传感器整体等效高度与手孔深度呈反比关系.随着电极直径的增加,最低谐振频率逐渐降低,且电极越薄越有利于UHF信号的接收.最后优化研制了内置传感器,平均等效高度为14.0 mm,与仿真等效高度曲线基本一致,实验结果表明优化后传感器的检测灵敏度优于商用传感器.