层状半导体MoSe2/WSe2热学性能参数定量分析

• 作者: 彭春 杨学弦 黄勇刚 王小云 彭金璋
• 来源期刊: 吉首大学学报（自然科学版）
• 关键词: 半导体 层状材料 热膨胀系数 晶格常数 热应变 温度
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 物理与信息
• 页码范围: 32-36
• 页数: 5页
• 分类号: O433.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13438/j.cnki.jdzk.2020.05.007

摘要

利用键弛豫理论与局域键平均近似方法对过渡金属M oSe2和WSe2的热学参数进行了定量分析,建立了热膨胀系数、晶格常数、热应变分别与温度的函数关系式,揭示了层状半导体材料热学参量的温度效应物理机制,并获得了块体MoSe2和WSe2的德拜温度分别为276,260 K.实验结果表明,热膨胀系数与德拜比热成正比,与原子结合能成反比;温度高于材料的德拜温度的1/3时,晶格常数、热应变与温度呈线性关系.