退火工艺对于TSV结构热-机械可靠性影响研究

• 作者: 丁英涛 王一丁 程志强 陈志伟
• 来源期刊: 北京理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 三维集成技术 硅通孔 聚酰亚胺 有限元仿真 热机械可靠性
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 信息与控制
• 页码范围: 519-525
• 页数: 7页
• 分类号: TN402
• 字数: 3286字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15918/j.tbit 1001-0645.2018.118

摘要

针对铜柱穿透硅通孔(through silicon via,TSV)结构的热机械可靠性,进行退火工艺对其影响的有限元分析研究.介绍了基于聚酰亚胺(Polyimide,PI)介质层的TSV结构的加工工艺.比较了在400℃退火温度,保温退火30 min条件下,PI和SiO2分别作为介质层时TSV结构的Von Mises应力及Cu胀出高度的分布.在此基础上,进一步针对PI-TSV结构分别对其尺寸参数(介质层厚度以及TSV直径、高度、间距)和退火工艺参数(退火温度、时间)进行变参分析.结果表明,与SiO2-TSV相比,PI-TSV结构退火后具有更好的热机械可靠性,并且适当增加介质层厚度是降低退火后PI-TSV结构的Cu胀出高度和以及热应力的有效方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁英涛	北京理工大学信息与电子学院	17	55	5.0	6.0
2	陈志伟	北京理工大学信息与电子学院	1	0	0.0	0.0
3	程志强	北京理工大学信息与电子学院	3	4	1.0	2.0
4	王一丁	北京理工大学信息与电子学院	1	0	0.0	0.0