InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子带系综蒙特卡洛模拟

• 作者: 刘力锋 刘晓彦 李金培 杜刚
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 关键词: InGaAs 肖特基源漏MOSFET 系综蒙特卡洛
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 996-1004
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13209/j.0479-8023.2020.106

摘要

采用基于有效质量近似的多子带、多能谷系综蒙特卡洛方法,考虑纳米尺度MOSFET沟道二维电子气中实际存在的多种散射机制,模拟InGaAs肖特基源漏MOSFET.结果显示,在稳态下,散射虽然改变了InGaAs肖特基源漏MOSFET沟道中沟道电势、电子浓度和速度的分布,但对InGaAs肖特基源漏MOSFET的输出特性和转移特性影响较小;而在施加阶跃漏端电压时,散射的存在增加了过冲电流的峰值和转换时间,降低了器件的截止频率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓彦		41	268	9.0	15.0
2	杜刚		15	56	5.0	7.0
3	刘力锋		3	17	2.0	3.0
4	李金培		1	0	0.0	0.0