类铷等电子序列双电子复合过程的理论研究

• 作者: 杨志龙 符彦飙
• 来源期刊: 西北师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 双电子复合 速率系数 DAC效应
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 42-48
• 页数: 7页
• 分类号: O562.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.16783/j.cnki.nwnuz.2020.05.009

摘要

基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了类铷等电子序列离子双激发态(4s24p64d1)-1nln'l'(n=4,5,6,n'≤23,l'≤12)7个离子(Sb14+,Te15+,Xe17+,Tb28+,Hf35+,W37+,Au42+)的双电子复合(Dielectronic reombination,DR)速率系数,并用能级到能级的方法外推到n'=1000.分别研究了激发通道和辐射通道、共振稳态跃迁(RS)和非共振稳态跃迁以及辐射跃迁到可自电离态及随后的级联退激(DAC)对DR速率系数的贡献,分析了各种效应随着原子序数(Z)的变化规律.研究表明,RS+NRS随着Z的增大对速率系数的影响越来越大,而DAC的贡献随着Z的增大越来越小,对于Au42+离子(Z=79),其贡献在50000 eV处最大,达到14.36％,仍不可忽略.最后,总结了这7个离子总的DR速率系数的规律.为了便于使用,对7个离子总的DR速率系数进行了参数拟合,得到了适用于类铷等电子序列的适用于中高温区域的一个经验拟合公式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	符彦飙		24	51	4.0	6.0
2	杨志龙		2	0	0.0	0.0