基于ZnO:In纳米棒阵列的X射线闪烁转换屏制备与性能研究

• 作者: 刘小林 孙志祥 张志军 李乾利 王敏 胡亚华 赵景泰 马逸凡
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: X射线闪烁转换屏 ZnO:In纳米棒阵列 超快衰减时间 高空间分辨率
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 核物理学
• 页码范围: 150-158
• 页数: 9页
• 字数: 5845字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20200282

摘要

为了满足高能物理和核物理领域在探究一些超快物理事件时,对兼顾高时间和高空间分辨的X射线闪烁转换屏的迫切需求,本文利用磁控溅射和水热反应法制备了ZnO:In纳米棒阵列X射线闪烁转换屏,并对其进行氢气氛下的等离子处理优化其闪烁发光性能.X射线激发发射谱显示ZnO:In纳米棒阵列具有395 nm的紫外发光和450—750 nm的可见发光两个发光峰,同时表明氢气氛等离子体处理可显著增强ZnO:In纳米棒阵列的紫外发光,抑制其可见发光.发光衰减时间测量表明,ZnO:In纳米棒阵列紫外发光衰减时间在亚纳秒级,其可见发光衰减时间在纳秒级,两者均可满足高时间分辨的X射线探测需求.在上海同步辐射光源的X射线空间分辨率测试表明,在能量为20 keV的X射线光束辐照下,厚度为12 μm的ZnO:In纳米棒阵列作为X射线闪烁转换屏可达到1.5 μm的系统空间分辨率.本研究表明利用ZnO:In纳米棒阵列作为X射线闪烁转换屏是实现兼顾高时间和高空间分辨的X射线探测与成像的一种可行方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘小林	同济大学物理科学与工程学院	26	123	6.0	9.0
2	张志军	上海大学材料科学与工程学院	10	26	2.0	5.0
3	赵景泰	上海大学材料科学与工程学院	11	190	4.0	11.0
4	王敏	上海大学材料科学与工程学院	29	100	7.0	9.0
5	胡亚华	嘉兴学院南湖学院	8	2	1.0	1.0
6	李乾利	上海大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0
7	马逸凡	上海大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
8	孙志祥	同济大学物理科学与工程学院	1	0	0.0	0.0