高纯锗晶体的研究进展

• 作者: 冯德伸 朱显超 林泉 郑安生 霍承松 马远飞
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 高纯锗晶体 多晶制备 单晶生长 高纯锗探测器
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 876-885
• 页数: 10页
• 分类号: TM23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13373/j.cnki.cjrm.XY19030061

摘要

高纯锗晶体是制备工艺复杂难度较大的高端光电材料.高纯锗晶体可用于制作高纯锗探测器,在核物理、粒子物理、天体物理、核安全、微量元素分析、安检及国防等领域具有广泛应用.随着国内外核电和暗物质探测实验的快速发展,对高纯锗探测器的需求逐渐扩大,因而高纯锗晶体具有广阔的市场前景.高纯锗晶体的制备研究受到持续关注,欧美国家已经实现高纯锗晶体的商业化生产,国内目前正在开展高纯锗晶体的研制工作,但尚未制备出探测器级高纯锗晶体.高纯锗晶体的制备过程主要包括多晶制备和单晶生长两方面,其中多晶制备是高纯锗晶体制备的关键步骤.简要介绍了高纯锗晶体的发展历史和研究现状,详细论述了高纯锗晶体的制备方法,着重对高纯锗晶体的制备工艺、性能表征、基本特性和应用进展进行总结,最后指出了高纯锗晶体研究中亟待解决的问题和发展趋势.