反应离子刻蚀法(RIE)制备的高效黑硅太阳能电池

• 作者: 刘文峰 周子游 蔡先武 赵增超 黄海龙
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 黑硅 太阳电池 反射率 金刚线切多晶硅片
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 880-885
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2020.06.003

摘要

为强化硅片表面陷光能力,采用反应离子刻蚀法(RIE)制备具有纳米绒面的单晶和多晶黑硅太阳电池.采用RIE处理后,单晶硅片反射率从14.08％降低到5.78％,多晶硅片反射率从23.42％降低到8.90％,但低的反射率引起了较大的表面载流子复合.本研究通过表面结构修饰和热氧化钝化的方式大幅提升了少子寿命,单晶黑硅电池平均转换效率达到20.38％,多晶黑硅电池平均转换效率达到19.25％.由于金刚线切硅片无法沿用传统的酸制绒,采用RIE处理及工艺优化后,电池转换效率达到19.22％,对行业推广低成本的金刚线切硅片有重大意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵增超		4	3	1.0	1.0
2	蔡先武		6	5	1.0	2.0
3	周子游		4	4	1.0	2.0
4	刘文峰		4	4	1.0	2.0
5	黄海龙		2	0	0.0	0.0