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摘要:
采用第一性原理计算方法,系统研究了新型二维Zr2CO2/InS异质结的电子结构和光催化性能.计算结果显示,二维Zr2CO2/InS异质结是一种直接带隙半导体材料,晶格失配率低于3%,形成能为–0.49 eV,说明其具有稳定的结构;Zr2CO2/InS异质结的带隙值为1.96 eV,对应较宽的可见光吸收范围,且吸收系数高达105 cm–1;异质结表现出Ⅱ型能带对齐,价带和导带的带偏置分别为1.24和0.17 eV,表明光生电子从Zr2CO2层转移到InS层,而光生空穴则与之相反,从而实现了电子和空穴在空间上的有效分离.另外,InS是间接带隙半导体材料,能够进一步降低电子和空穴的复合率.综上所述,新型二维Zr2CO2/InS异质结是一种潜在的可见光光催化剂.
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文献信息
篇名 新型二维Zr2CO2/InS异质结可见光催化产氢性能的第一性原理研究
来源期刊 无机材料学报 学科 物理学
关键词 Zr2CO2/InS异质结 电子结构 光催化性能 第一性原理计算
年,卷(期) 2020,(9) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 993-998
页数 6页 分类号 O471.5
字数 语种 中文
DOI 10.15541/jim20190521
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无机材料学报
月刊
1000-324X
31-1363/TQ
16开
上海市定西路1295号
4-504
1986
chi
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