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摘要:
硅晶片是一种在集成电路及光伏太阳能等行业的应用非常广泛的材料,而隐形缺陷是影响太阳能电池用硅晶片质量的重要因素之一.在硅晶片外因诱导光子辐射复合理论基础上,通过将硅晶片电致发光检测结果与硅晶片I-V特性检测结果进行对比分析,验证了所开发检测系统的可靠性和准确性,证明所开发的隐型缺陷检测成像系统可以应用于太阳能电池组件隐型缺陷检测,是一种性价高且在具有良好市场应用前景的检测技术.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 太阳能电池用硅晶片隐形缺陷检测技术研究
来源期刊 工业加热 学科 工学
关键词 硅晶片 缺陷检测 隐性裂痕 电致发光 EL图像采集
年,卷(期) 2020,(8) 所属期刊栏目 技术交流
研究方向 页码范围 43-45,49
页数 4页 分类号 TM914.4
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-1639.2020.08.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王立涛 17 15 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
硅晶片
缺陷检测
隐性裂痕
电致发光
EL图像采集
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
工业加热
双月刊
1002-1639
61-1208/TM
大16开
西安市朱雀大街南端222号
52-41
1972
chi
出版文献量(篇)
2999
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2
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10031
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