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摘要:
在第三代半导体材料产业链制造以及应用环节上,SiC可以制造高耐压、大功率电力电子器件如MOSFET、IGBT、SBD等,用于智能电网、新能源汽车等行业。与硅元器件相比,GaN具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点,是超高频器件的极佳选择,适用于5G通信、微波射频等领域的应用。
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文献信息
篇名 深度剖析第三代半导体材料氮化镓市场现状
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 电子迁移率 微波射频 氮化镓 深度剖析 大功率电力电子器件 临界磁场 SBD 新能源汽车
年,卷(期) 2020,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 23-25
页数 3页 分类号 TN3
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研究主题发展历程
节点文献
电子迁移率
微波射频
氮化镓
深度剖析
大功率电力电子器件
临界磁场
SBD
新能源汽车
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
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11
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