S波段射频前端小型化的设计与实现

• 作者: 张毅 马兴胜
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微组装 GaN功率管 射频前端小型化 限幅低噪放
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 1147-1150
• 页数: 4页
• 分类号: TN803.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA2019242

摘要

随着相控阵雷达技术的发展,射频前端作为T/R组件的核心器件,向高性能、高可靠、多功能、小型化及低成本趋势不断发展.本文使用GaN功率器件和微组装技术,结合几种关键器件小型化设计的方法,设计了S波段小型化射频前端.在6～8 dBm输入的条件下,发射通道输出功率达到200 W,效率达到50％以上;接收通道可实现30 dB的增益和1.5 dB噪声系数的设计指标.该技术已广泛用在射频相关产品中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马兴胜		2	3	1.0	1.0
2	张毅		3	4	1.0	2.0