三菱电机SiC-MOSFET,用高抑制误开通能力带你乘风破浪

• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 三菱电机 太阳能发电 低功率损耗 功率半导体 误开通 功率变换 电源系统 车载充电器
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 页码范围: 38-38
• 页数: 1页
• 分类号: TM30

摘要

近年来,从节能和环保的观点出发,业界对于可大幅降低功率损耗的SiC功率半导体的期待与日俱增。自2010年起,三菱电机就搭载了SiC-SBD※1或SiC-MOSFET※2的SiC功率半导体模块。此次,三菱电机新开发功率半导体「SiC-MOSFET 1200V N-系列」,该系列产品具有低功率损耗和高抑制误开通能力,有助于需要功率变换的高压车载充电器和太阳能发电等各种电源系统低功耗化及小型化。该系列6个品种的样品将于2020年7月开始提供。