GaN垂直腔面发射激光器研究进展

• 作者: 应磊莹 张保平 徐欢 杨天瑞 梅洋 许荣彬
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 垂直腔面发射激光器 氮化镓 半导体激光器 分布式布拉格反射镜
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: “半导体激光器”专题
• 页码范围: 143-157
• 页数: 15页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL202047.0701012

摘要

氮化镓(GaN)垂直腔面发射激光器(VCSEL)在近20年来获得了飞速发展,已成为下一代半导体激光器的研究热点.GaN是制造从紫外波段到绿色波段光电子器件的绝佳材料,而VCSEL具有阈值和发散角小、调制速率高,以及输出光束呈圆对称等特点.首先回顾了基于GaN的VCSEL的发展历史,简要介绍了它的主要应用方向;然后讨论了反射镜与谐振腔设计与制造中的关键问题;接着分析了三种不同结构的GaN VCSEL的散热机理,并分析讨论了优化散热的策略;最后介绍了基于GaN的蓝色、绿色和紫外VCSEL的研究进展及最新思路.