GaN基垂直腔面发射激光器的研制

• 作者: 余金中 尚景智 张保平 张江勇 李水清 林峰 林科闯 王启明 王笃祥 蔡丽娥
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带半导体 氮化镓 氮化物 半导体激光器 垂直腔面发射激光器
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 快讯
• 页码范围: 617-619
• 页数: 3页
• 分类号: TN248
• 字数: 2145字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2008.05.001

摘要

作者在我国大陆首次实现了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的激射.首先采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上进行高质量氮化物增益区的外延生长,然后在表面沉积高反射介质膜分布布拉格反射镜(DBR).将样品键合到其它支撑片上后,采用激光剥离技术将蓝宝石村底去除.再在去除蓝宝石后露出的氮化物表面沉积第二组介质膜DBR制成VCSEL.在室温光泵条件下,观察到VCSEL的激射,激射波长449.5 nm.阈值6.5 mJ/cm2,激射峰的半高宽小于0.1 nm,这些指标达到了国际领先水平.本文为进一步研制实用化氮化物VCSEL奠定了重要的基础.