1.3μm半导体量子点激光器的研究进展

• 作者: 丁芸芸 吕尊仁 孟磊 张中恺 杨晓光 杨涛 柴宏宇 王虹
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光器 半导体激光器 量子点 硅基 阈值电流
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: “半导体激光器”专题
• 页码范围: 214-229
• 页数: 16页
• 分类号: O475
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL202047.0701016

摘要

由于半导体量子点具有很强的三维量子限制效应,量子点(QD)激光器展现出低阈值电流、高调制速率、高温度稳定、低线宽增强因子和高抗反射等优异性能,有望在未来高速光通信及高速光互连等领域有重要的应用.同时,量子点结构具有对位错不敏感的特性,使得量子点激光器成为实现硅光集成所迫切需求的高效光源强有力候选者.先简要综述1.3 μm半导体量子点激光器的研究进展,再着重介绍GaAs基量子点激光器在阈值电流密度、温度稳定性、调制速率和抗反射特性等方面展示出的优异特性,最后对在切斜Si衬底和Si(001)衬底上直接外延生长的量子点激光器进行介绍.