低压Mosfet平台电压时间对图腾柱驱动电路拓扑影响对策研究

• 作者: 钱亮
• 来源期刊: 内燃机与配件
• 关键词: Mosfet平台电压时间 图腾柱驱动电路 RLC串联谐振电路 Mos管栅极电阻
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 装备技术
• 页码范围: 73-74
• 页数: 2页
• 字数: 1087字
• 语种: 中文

摘要

Mosfet平台电压时间是Mos管处于放大区的典型标志,Mos管不能很快进入开关状态,从而严重增加Mos管的开关损耗,导致Mos管发热量极大.针对上述问题,综合考虑图腾柱驱动电路的栅极电阻参数不同对Mosfet平台电压时间测量和Mos管关断期间浪涌电流di/dt对电容Cgs的影响,在保证系统稳定的前提下找出降低Mos管发热量的最佳平台时间.基于RLC串联谐振电路模型,适当增加Mos管栅极电阻来减少电容Cgs电压振荡,确保Mos管正常导通和关闭.设计并制作了电动车轮毂电机的低压Mosfet驱动电路实验样机,并做了相关的测试.实验结果表明:合适的平台电压时间降低了图腾柱驱动电路拓扑低压Mos管的发热损耗,开关管关断时候的di/dt明显降低,电路的整体效率得到提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱亮		2	0	0.0	0.0