聚酪氨酸原位镀铋复合膜修饰玻碳电极研究及Cd2+分析应用

• 作者: 刘有芹 王燕如 翟文颖 颜芸
• 来源期刊: 化学研究与应用
• 学科: 化学
• 关键词: 聚酪氨酸 铋膜 玻碳电极 重金属 方波阳极溶出伏安法
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1677-1684
• 页数: 8页
• 分类号: O657.1
• 语种: 中文

摘要

首先采用循环伏安法制备了聚酪氨酸修饰玻碳电极.通过循环伏安法、交流阻抗谱及扫描电镜表征了其对[Fe(CN)6]3-/4-的响应、电子传递阻抗及膜表面形态.聚酪氨酸膜呈芽状均匀分布于玻碳电极表面,能有效促进电子转移.然后采用原位镀铋制备了铋/聚酪氨酸复合膜修饰玻碳电极.以复合膜电极对Cd2+方波阳极溶出伏安响应,探讨了聚酪氨酸修饰玻碳电极最佳制备条件及最佳测试介质.聚酪氨酸修饰玻碳电极制备液中酪氨酸最佳浓度为2.0 mmol·L-1,聚合圈数为35.测试介质中Bi3+最佳浓度3.0μmol·L-1,pH为6.5,富集电位-1.3 V.在最佳条件下,复合膜电极对Cd2+响应的线性方程为:ip(μA)=-0.3264+44.33c(μmol·L-1)(r=0.9962),线性范围0.01～2.0μmol·L-1,检测限1.2 nmol·L-1(3S/k).复合膜电极成功用于大米样品中镉的测定,回收率90.0～95.7％,相对标准偏差小于3.8％.