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Single-event-transient effects in silicon-on-insulator ferroelectric double-gate vertical tunneling field effect transistors
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| 篇名 | Single-event-transient effects in silicon-on-insulator ferroelectric double-gate vertical tunneling field effect transistors | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | tunneling ferroelectric effect | ||
| 年，卷（期） | zgkx_2020,（12） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 274-276 | |
| 页数 | 3页 | 分类号 | TN386 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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