中远红外非线性光学晶体AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)研究进展

• 作者: 何知宇 朱世富 赵北君 陈宝军 黄巍
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体 多晶合成 单晶生长 热膨胀系数 激光损伤阈值
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 中红外激光与非线性光学晶体专栏
• 页码范围: 1417-1426
• 页数: 10页
• 分类号: O78
• 语种: 中文

摘要

AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体是性能优异的中红外高功率非线性光学材料,在红外跟踪、制导、激光反卫星和激光医学等领域有重大应用前景.本文综合评述了AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体的发展历程和研究进展,总结了本实验室已报道,以及最新研究进展,包括采用改进的两温区气相输运温度振荡法合成出单相多晶材料,在四温区立式炉中用改进的Bridgman法生长出AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)系列单晶体,晶体尺寸最大可达φ45 mm×90 mm.AgGaGenS2(n+1)晶体退火后在1μm附近透过率为65％ ～70％,AgGaGeS4晶体1μm吸收系数约为0.01 cm-1.600 K时热膨胀仪测试AgGaGeS4晶体的热膨胀系数分别为αa=1.39×10-5 K-1,αb =6.87 ×10-6 K-1,αc=1.44 ×10-5K-1.AgGaGeS4表面损伤阈值为103 MW·cm-2,是文献报道值50 MW·cm-2的2倍,体损伤阈值为132 MW·cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富		151	840	14.0	20.0
2	赵北君		132	744	14.0	19.0
3	陈宝军		56	160	7.0	9.0
4	何知宇		69	221	8.0	11.0
5	黄巍		20	80	4.0	8.0