PZT陶瓷冷烧结工艺的优化与压电性能研究

• 作者: BOWEN R.Chris ROSCOW James 张妍 张斗 郭茹 马玉鹏
• 来源期刊: 中南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 冷烧结 颗粒尺寸分布 致密度 压电系数 锆钛酸铅
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 页码范围: 3119-3127
• 页数: 9页
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.11817/j.issn.1672-7207.2020.11.014

摘要

为了提高冷烧结工艺制备的样品致密度,进而其增强压电性能,通过对PZT粉体进行表面修饰、优化PZT颗粒粒径搭配等手段室温化制备高压电系数PZT陶瓷,对PZT陶瓷冷烧结工艺进行优化.研究结果表明:通过Li2MoO4溶液对PZT原料粉体进行表面修饰,形成了厚度为150 nm的Li2MoO4包覆层,有利于冷烧结过程中颗粒重排和溶解-沉淀;采用[63,200)μm的粗颗粒和1～3μm的细颗粒搭配,使得细颗粒流动到粗颗粒桥接产生的缝隙和孔洞中,实现颗粒间紧密的连接,获得最高的密度(6.49 g/cm3)和相对致密度(85.40％);致密度的提高使样品获得优异的介电和压电性能,在1 kHz时,相对介电常数和介电损耗分别为66.8和0.288;在110 Hz时,压电系数d33为71 pC/N.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张妍		10	12	2.0	3.0
2	张斗		23	110	6.0	10.0
3	郭茹		5	25	2.0	5.0
4	马玉鹏		1	0	0.0	0.0
5	ROSCOW James		1	0	0.0	0.0
6	BOWEN R.Chris		1	0	0.0	0.0