铬掺杂硅团簇的结构、稳定性和光电子谱性质研究

• 作者: 李继军 杨桔材 林琳 赵二俊 迎春
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 教育
• 关键词: 铬掺杂硅团簇 基态结构 稳定性 光电子谱
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 页码范围: 1388-1392
• 页数: 5页
• 分类号: G644
• 字数: 2659字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2020)05-1388-05

摘要

采用CCSD(T)/aug-cc-pVTZ-DK//MP2/6-31G(2df,p)和B3LYP/aug-cc-pVTZ基组研究了小尺寸团簇CrSin(n=3～9)及其阴离子的结构、稳定性以及光电子谱.结果表明:中性及其阴离子的基态结构是外嵌结构.由计算得出的解离能可知,在n<5时,CrSin中性结构的稳定性弱于其阴离子结构.在n≥5时,CrSin中性结构中,CrSi5和CrSi8结构的稳定性强于其相邻团簇;CrSin阴离子结构中,CrSi4和CrSi7结构的稳定性弱于其相邻团簇.计算得出的CrSin垂直电子解离能分别为:CrSi3(2.26 eV),CrSi4(3.21 eV),CrSi5(2.72 eV),CrSi6(3.54 eV),CrSi7(2.45 eV),CrSi8(2.71 eV)和CrSi9(2.95 eV).除CrSi4以外,其他CrSin结构的垂直电子解离能数值与实验值很好符合,平均绝对误差仅为0.073 eV.计算得出的CrSin绝热电子亲和能分别为:CrSi3(2.07 eV),CrSi4(1.95 eV),CrSi5(2.4 eV),CrSi6(2.32 eV),CrSi7(2.38 eV),CrSi8(2.67 eV)和CrSi9(2.63 eV).除CrSi6以外,其他CrSin结构的绝热电子亲和能与实验值很好符合,平均绝对误差仅为0.09 eV.此外,在PBE1PBE/6-31G(2df,p)水平下模拟了CrSin(n=3～9)阴离子基态结构的光电子光谱,并与报道的实验结果相比较,可以得出该研究得到的基态结构是可靠的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	迎春	内蒙古工业大学理学院物理系	29	74	5.0	7.0
2	李继军	内蒙古工业大学理学院物理系	56	292	8.0	16.0
3	杨桔材	内蒙古工业大学能源与动力工程学院	33	103	5.0	9.0
4	赵二俊	内蒙古工业大学理学院物理系	7	14	2.0	3.0
5	林琳	内蒙古工业大学理学院物理系	21	31	3.0	4.0