硅源种类对一维SiC纳米材料结构和发光性能的影响

• 作者: 郭会师 李文凤 黄庆飞
• 来源期刊: 化工新型材料
• 关键词: 硅源种类 SiC 一维纳米材料 结构 发光性能
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 科学研究
• 页码范围: 108-110,115
• 页数: 4页
• 分类号: TQ343+.6
• 语种: 中文
• DOI: 10.19817/j.cnki.issn1006-3536.2020.12.026

摘要

以Si粉和SiO2粉为硅源,活性炭为碳源,Fe2O3为添加剂,采用碳热还原法,在氢气保护下经1500℃保温3h烧制,研究了硅源种类对一维SiC纳米材料结构和发光性能的影响.结果表明,Si粉与活性炭的反应活性强于SiO2粉,易于制得发光性能较好的一维SiC纳米材料,其具有光滑的表面及无定形SiO2外壳包裹的核壳结构,并具有较宽的发射波长.因非晶态SiO2层的存在及一维SiC纳米材料内部结构缺陷的共同作用,其在467nm和435nm处的带隙较SiC体材料显示出较大的蓝移现象.